Компания Samsung начала массовое производство 64-слойной 256-Гбит 3D TLC NAND памяти, четвертого поколения V-NAND.







Новая память обеспечивает самую высокую в сегменте скорость передачи данных в 1 Гбит/с. При этом она отличается рекордным среди NAND памяти временем tPROG на уровне 500 мкс, которое в четыре раза меньше типичной 10-нм NAND памяти и в 1,5 раза лучше, чем у самой быстрой 48-слойной 256-Гбит памяти V-NAND от Samsung. И в компании рассчитывают, что благодаря широкому ассортименту V-NAND продуктов промышленность начнет уделять больше внимания высокой производительности и надежности.







Новая память обеспечивает более чем 30% прирост производительности по сравнению с предыдущей 48-слойной 256-Гбит памятью V-NAND и имеет на 30% большую энергоэффективность. А ее надежность, как уверяют в компании, увеличилась примерно на 20%.



В Samsung рассчитывают, что еще до конца года объемы производства 64-слойной 256-Гбит 3D TLC NAND памяти вырастут на 50%.






Ранее редакция THG.ru опубликовала статью о расширении возможностей Intel Optane. Наш массив на базе Optane получился очень быстрым. Сложно описать словами разницу между ним и NVMе SSD, когда на таком RAID установлена операционная система. Но RAID — конфигурация не для всех, и вы должны понимать, что вы делаете, перед тем, как приступать. Подробнее об этом читайте в статье «Расширяем возможности Intel Optane: тестирование производительности в RAID-массиве».



Источник

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Please enter your comment!
Please enter your name here