Сегодня в рамках конференции NVIDIA GTC (GPU Technology Conference) Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, представила новый тип памяти с высокой пропускной способностью HBM2E.

Такой тип памяти позволит обеспечить высокие уровни производительности DRAM для использования в суперкомпьютерах следующего поколения, графических системах и искусственном интеллекте.

Новое решение, которое получило название Flashbolt, является первым в отрасли HBM2E, обеспечивающим скорость передачи данных 3,2 Гбайт/с, что на 33% быстрее, чем предыдущее поколение HBM2. Также плотность Flashbolt составляет 16 Гбит на кристалл, что в два раза больше, чем у предыдущего поколения. Учитывая эти улучшения, одна сборка Samsung HBM2E может обеспечить пропускную способность 410 Гбайт/с и объем памяти 16 Гбайт.

Монитор Dell P2419H с большой скидкой

По словам старшего вице-президента по планированию и разработке приложений памяти Samsung Electronics Джин Ман Хана (Jin man Han): «Лидирующая в отрасли производительность Flashbolt позволит использовать расширенные решения для дата-центров следующего поколения, а также искусственного интеллекта, машинного обучения и графических приложений». «Мы продолжим расширять поставки премиальных DRAM для удовлетворения рыночного спроса», — добавил Хан.

Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор лучших SSD. Выбрать лучший SSD непросто — для кого-то лучшим может быть самый доступный SSD, для других — самый быстрый. Мы стараемся учитывать все факторы и публикуем постоянно обновляемый материал, в котором стараемся рекомендовать действительно лучший SSD в любой ценовой категории — от менее $100 до топового сегмента. Подробнее об этом читайте в статье «Лучший SSD: текущий анализ рынка»

Источник

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Please enter your comment!
Please enter your name here